由于消费者需求不断变化，硅料硅片电工行业只有不断探索，才能跟上大环境的发展步伐。
2）可塑性好的另一个原因是单位体积位错的丰富的表面来源，趋势这是由于较大的表面与体积的比例，这使得大量的位错可以从晶体表面连续产生。在富集碳的位错和晶界处直接观察到了氢，明确这为氢脆模型提供了实验证据。
电池跌该研究的主要贡献是发现一种新型的沉淀析出强化方法。同时，库存所有的镍样品都呈现出形变织构，说明形变机制可能仍然基于位错滑移和孪晶形成，因为晶界主导的机制维持了初始的随机织构。然而合金化带来的强化效果是有限的，压力而且通过加入合金元素强化的贵金属元素很难回收再利用，造成了资源的浪费。
值得注意的是，下继续下位错普遍存在于所有的平均晶粒尺寸，包括最细的在3nm。硅料硅片到目前为止已提出的五重孪晶的形成机理只要包括：1）原子逐层添加的形成机理（分子动力学模拟）。
Figure6五重孪晶通过取向粘附、趋势原子表面扩散以及随后的高能晶界的形成和分解形成（A和B）Σ3以及90°凹面形成。
明确（D-G）Σ27-（200）以及Σ27-（111）的震荡。这项工作表明，电池跌堆积方式对晶体材料的激发态和PL各向异性具有重要影响，表明多晶型纳米结构在多功能纳米光子器件中的巨大应用潜力。
库存2004年兼任国家纳米科学中心首席科学家。通过控制的定向传输能力，压力如单向渗透，双向未渗透和双向渗透，也可以获得不同孔径的PES膜梯度。
下继续下2009年当选中国科学院院士。硅料硅片同年获得化学领域和材料领域汤森路透高被引科学家奖以及最具国际引文影响力奖。
